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电沉积时间对SiO<sub>2</sub>-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响

鹏 黄、欣 张、刚印 闫、博学 冯、垒 王、芳 戚

2010Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Materials Science被引 1开放获取

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摘要

采用垂直沉积法成功制备了SiO<sub>2</sub>光子晶体薄膜. 以SiO<sub>2</sub>光子晶体薄膜做模板, 采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO<sub>2</sub>-ZnO复合光子晶体. 利用扫描电子显微镜观察了SiO<sub>2</sub>光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌. 研究发现, 当沉积时间较短时, ZnO颗粒随机生长在SiO<sub>2</sub>微球表面. 随着沉积时间的延长, ZnO颗粒均匀地生长在SiO<sub>2</sub>微球表面, 以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙. 对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量, 发现在膜法线方向上, 光子晶体薄膜有光子带隙的出现.

引用本文（GB/T 7714）

鹏 黄, 欣 张, 刚印 闫, 等. 电沉积时间对SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2010.

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DOI：https://doi.org/10.1360/csb2010-55-30-2961

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