以低纯度Gd为原料制备Gd<SUB>5</SUB>Si<SUB>1.85</SUB>Ge<SUB>2.15</SUB>合金的磁热效应
摘要
研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd<SUB>5</SUB>Si<SUB>1.85</SUB>Ge<SUB>2.15</SUB>合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd<SUB>5</SUB>Si<SUB>1.85</SUB>Ge<SUB>2.15</SUB>合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd<SUB>5</SUB>Si<SUB>1.85</SUB>Ge<SUB>2.15</SUB>合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K.
引用本文（GB/T 7714）
发荣 万, 春和 李, 祝红 柳, 等. 以低纯度Gd为原料制备Gd&lt;SUB&gt;5&lt;/SUB&gt;Si&lt;SUB&gt;1.85&lt;/SUB&gt;Ge&lt;SUB&gt;2.15&lt;/SUB&gt;合金的磁热效应[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2003.
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