n-i-p 微晶硅太阳电池中p 型掺杂层对其性能的影响
摘要
采用高压高功率RF-PECVD技术, 研究了三个系列的p 层微结构特性和光学特性对电池性能的影响, 获得了适合n-i-p 微晶硅太阳电池的p 型掺杂层. 实验结果表明, p 层的微结构特性与电池性能密切相关, 具有特定结构的p 层能够使电池性能大幅度提高, 获得转换效率为8.17%(<italic>V</italic><sub>oc</sub>=0.49 V, <italic>J</italic><sub>sc</sub>=24.9 mA/cm<sup>2</sup>, <italic>FF</italic>=67%) 的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.93%(<italic>V</italic><sub>oc</sub>=1.31 V, <italic>J</italic><sub>sc</sub>=13.09 mA/cm<sup>2</sup>, <italic>FF</italic>=64%)的叠层太阳电池.
引用本文（GB/T 7714）
楷亮 张, 育杰 袁, 新华 耿, 等. n-i-p 微晶硅太阳电池中p 型掺杂层对其性能的影响[J]. Zhongguo kexue. Wulixue Lixue Tianwenxue, 2010.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。