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深いドーパントをもつ半導体(例えばp-6H-SiC〈B〉)の表面静電容量
L. B. Elfimov、P A Lvanov
1994SemiconductorsEngineering被引 2
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引用本文（GB/T 7714）
L. B. Elfimov, P A Lvanov. 深いドーパントをもつ半導体(例えばp-6H-SiC〈B〉)の表面静電容量[J]. Semiconductors, 1994.
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