SiO<sub>2</sub>/SiO界面能级位移光电子能谱的研究
摘要
我们在薄膜电致发光(TFEL)器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO<sub>2</sub>/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO<sub>2</sub>/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO<sub>2</sub>,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO<sub>2</sub>和SiO之间界面的偶极矩难以确定,因而利用计算方法确定这种
引用本文（GB/T 7714）
振波 邓, 叙瑢 徐, 先明 刘, 等. SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/SiO界面能级位移光电子能谱的研究[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1995.
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