CdS/SiO2纳米棒核/壳结构的制备和发光性能
摘要
利用在醇介质中氨水催化水解硅酸乙酯（TEOS）制备SiO2来包覆半导体CdS纳米棒而形成CdS/SiO2核／壳结构，通过X射线衍线（XRD）、透射电子显微镜（TEM）证实SiO2包覆壳层为非晶，且壳层厚度随TEOS深度的增大而增加，在10－30nm之间，并研究了其紫外－可见吸收光谱（UV－Vis）和荧光发射光谱（PL）的性质。
引用本文（GB/T 7714）
匡汉茂, 邓兆祥, 李春辉, 等. CdS/SiO2纳米棒核/壳结构的制备和发光性能[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2002.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。