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Y 和Gd 在Mg 中反常固溶强化行为的电子起源: 第一性原理计算研究
恩厚 韩、磊 高、健 周、荣石 陈、志梅 孙
2010Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取
摘要
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引用本文（GB/T 7714）
恩厚 韩, 磊 高, 健 周, 等. Y 和Gd 在Mg 中反常固溶强化行为的电子起源: 第一性原理计算研究[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2010.
DOI：https://doi.org/10.1360/csb2010-55-22-2247
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