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A gate current 1/f noise model for GaN/AlGaN HEMTs
刘宇安、庄奕琪
2014半导体学报：英文版Physics and Astronomy被引 4
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引用本文（GB/T 7714）
刘宇安, 庄奕琪. A gate current 1/f noise model for GaN/AlGaN HEMTs[J]. 半导体学报：英文版, 2014.
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