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252Cf(D2O)中子源实验室中子散射的模拟及验证

田时海王和义袁永刚

2014Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 3

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摘要

为了准确刻度中子剂量当量仪的性能参数以及验证中子剂量当量仪设计的准确性,在^252Cf(D2O)源实验室进行实验校准之前,先采用MCNP5分别模拟分析实验室中空气、墙壁以及石蜡桶对探头中子计数的影响。模拟实验表明,在理想条件下,随着源与探头距离的增大,中子计数率越来越小;空气对中子计数的影响呈先增加后减小再增加的趋势,中子散射率不超过10%,且距离越近,空气散射的中子对探头计数的影响越小;当探头与源距离260cm左右时,石蜡桶对探头计数的影响最小,达到1%;墙壁对中子计数的影响随着探头与源距离增大而逐渐增大,当探头与源距离为360cm时,墙壁散射的中子是源中子计数的2倍;当源与探头距离为175cm时,空气、墙壁以及石蜡桶对源中子的散射最小,测量数据最精确。并通过实验与模拟数据对比表明,源与探头距离在125—300cm之间,计数率误差不超过30%,符合中子剂量测量的技术要求,从而验证了此中子剂量当量仪设计的准确性。

引用本文(GB/T 7714)

田时海, 王和义, 袁永刚. 252Cf(D2O)中子源实验室中子散射的模拟及验证[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2014.

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DOI:https://doi.org/10.11889/j.0253-3219.2014.hjs.37.060204

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