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CuO在CeO<sub>2</sub>载体上的存在状态研究——氧化物-氧化物相互作用的“嵌入模型”

永漱 金、林 董、懿 陈

1996Scientia Sinica ChimicaMaterials Science被引 1开放获取

摘要

用X-射线衍射(XRD)和X-射线光电子能谱(XPS)研究了CuO/CeO₂体系中CuO在CeO₂表面的分散状态. 结果表明,CuO在CeO₂表面的分散容量约为1.20mmol/100m²,当CuO含量低于该分散容量时Cu ²⁺在CeO₂载体表面以嵌入形式呈离子态分布;而含量高于分散容量时则有结晶态的CuO出现. 首次试用静态二次离子质谱(SSIMS)研究了CuO/CeO₂样品表面第1层中Cu²⁺/Ce⁴⁺离子的比值,结果显示CuO含量为1.22和0.61mmol CuO/100m² CeO₂的样品中该比值分别为0.93和0.46;程序升温还原(TPR)结果表明,表面嵌入态的Cu²⁺比晶相CuO中的Cu²⁺更易还原而且还原分两步进行,在约153℃和165℃出现两个还原峰. 用表面相互作用的嵌入模型讨论并解释了所得实验结果.

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.1360/zb1996-26-6-561