Ge-SiO<sub>2</sub>薄膜的光致发光及其机制
摘要
采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO<sub>2</sub>薄膜.薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理.根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸.经600~1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm.在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394 nm的紫光.随着Ge纳米晶粒的出现,样品有580 nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强.对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变.根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.
引用本文（GB/T 7714）
静 陈, 乃云 汤, 伟国 姚, 等. Ge-SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;薄膜的光致发光及其机制[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2001.
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