δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

Shen Wen-Zhong、TANG WEN-GUO、Xuechu Shen、A.Dimonlas

1995Acta Physica SinicaPhysics and Astronomy被引 1开放获取

摘要

报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。

引用本文（GB/T 7714）

Shen Wen-Zhong, TANG WEN-GUO, Xuechu Shen, 等. δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究[J]. Acta Physica Sinica, 1995.

引文网络

参考文献与被引分析加载中…

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.44.825

本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。