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Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application

任堃、饶峰、宋志棠、吴良才、周夕淋、夏梦娇、Lei Zhu、封松林

2010Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniMaterials Science被引 2

摘要

为阶段变化记忆的新奇 Si3.5Sb2Te3 阶段变化材料被 Si 和 Sb2Te3 合金目标劈啪作响准备。水晶的 Si3.5Sb2Te3 是由非结晶的 Si 和水晶的 Sb2Te3 组成的稳定的合成材料，没有分开的 Te 阶段。热地稳定的 Si3.5Sb2Te3 材料比 Ge2Sb2Te5 材料(在 383 K 的 10 年) 的更好有数据保留能力(在 412K 的 10 年) 。基于 Si3.5Sb2Te3 成功地被制作的、出现低电源消费分阶段执行变化记忆设备。耐力的多达 2.2 x 107 个周期比 300 与抵抗比率 lager 被完成了。[从作者抽象]

引用本文（GB/T 7714）