空位在金刚石近(001)表面扩散的分子动力学模拟

Hu Xiao-jun、Dai Yong-Bing、He Xian-Chang、Shen He-Sheng、Rongbin Li、上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030

2002Acta Physica SinicaEngineering被引 4开放获取

摘要

用分子动力学方法模拟了空位在金刚石近(001)表面的扩散过程,研究了温度对空位扩散的影响.结果表明,当温度为1000K左右时,位于近表面第二层上的空位开始向表面运动;当温度在1400—2000K时,空位完全扩散到表面.这与实验结果和其他计算结果符合得很好.同时发现,温度为1400—1800K时,空位的扩散经历了两次迁移运动,其分别对应了均方位移图中的两个极大值.在不施加任何约束的条件下得到了空位的动态扩散路径,空位在金刚石近(001)表面的扩散势垒约为042eV.并探讨了一定温度下空位数目增多及其不同排列

引用本文（GB/T 7714）

Hu Xiao-jun, Dai Yong-Bing, He Xian-Chang, 等. 空位在金刚石近(001)表面扩散的分子动力学模拟[J]. Acta Physica Sinica, 2002.

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DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.1388

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