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Valence band parameters for Hg1−xMgxTe epitaxial layers
K. Paesler、Barbara König、M. von Truchseß、A. Pfeuffer-Jeschke、S. Oehling、Christine Becker、E. Batke
1998Journal of Crystal GrowthEngineering被引 1
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引用本文（GB/T 7714）
K. Paesler, Barbara König, M. von Truchseß, 等. Valence band parameters for Hg1−xMgxTe epitaxial layers[J]. Journal of Crystal Growth, 1998.
DOI：https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)80253-4
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