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Co 3 O 4 纳米片的制备及对H 2 O 2 电还原反应的催化性能

Kui ChengFan Yang闫鹏Dianxue Cao殷金玲王贵领

2013Materials Science被引 2

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摘要

通过恒电势电沉积和加热处理在泡沫镍基体上制备了Co 3 O 4 纳米片. 利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对纳米片的形貌和结构进行了表征. 采用线性伏安扫描和计时电流技术研究了Co 3 O 4 纳米片电极对H 2 O 2 的电还原性能. 结果表明,在3.0 mol/L KOH 和 0.4 mol/L H 2 O 2 溶液中,当电压为-0.4 V( vs . Ag/AgCl)时,线性伏安扫描电流密度达到-0.386 A/cm 2 ,在1000 s 测试时间内,计时电流密度衰减很小,表明Co 3 O 4 纳米片电极对H 2 O 2 具有很高的活性和稳定性.

引用本文(GB/T 7714)

Kui Cheng, Fan Yang, 闫鹏, 等. Co 3 O 4 纳米片的制备及对H 2 O 2 电还原反应的催化性能[J]. 未知来源, 2013.

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DOI:https://doi.org/10.7503/cjcu20130504

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