负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO 2 纳米带制备与表征
摘要
采用Cu 2 O自牺牲模板法, 以负载有立方相p-型半导体Cu 2 O颗粒的TiO 2 纳米带作为前驱物, 在水热条件下与硫脲进行反应, 制得了负载有立方相p-型半导体Cu 1.8 S颗粒的TiO 2 纳米带. 测试结果表明, 反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu 1.8 S纯度和形貌皆有影响. 若反应在较低温度(如120℃)进行, 即使反应时间达到25 h, 产物中除了生成Cu 1.8 S还存在未反应Cu 2 O; 若水热温度控制在160℃反应25 h, 当硫脲浓度为0.25 mol/L时, 负载物基本上是Cu 1.8 S且分散较好, 当硫脲浓度升到0.5 mol/L时, 负载物团聚严重. 对罗丹明B的光催化降解活性测试结果表明, 与纯TiO 2 纳米带相比, 在负载有Cu 2 O或Cu 1.8 S后光催化活性显著降低.
引用本文（GB/T 7714）
雷静果 李 丽, Lei Jing-Guo LI Li. 负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO 2 纳米带制备与表征[J]. Journal of Inorganic Materials, 2011.
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