Effects of H on Electronic Structure and Ideal Tensile Strength of W： A First-Principles Calculation
摘要
我们用一个第一原则的方法与氢(H) 调查结构， energetics，和钨(W) 的理想的张力的力量。两状态(DOS ) 和电子本地化功能(矮子) 的密度揭示有四面的空隙的 H 是大多数的内在的物理机制精力充沛地有利。第一原则的计算张力的测试(FPCTT ) 证明理想的张力的力量是在 14% 的紧张的 29.1 GPa [001 ] 为内在的 W 的方向，当一个杂质 H 原子什么时候被嵌进体积 W，在 12% 的紧张减少到 27.1 GPa 时。这些结果提供一本有用参考书作为在核聚变 Tokamak 面对材料的血浆理解 W。[从作者抽象]
引用本文（GB/T 7714）
刘悦林, 周洪波, 金硕, 等. Effects of H on Electronic Structure and Ideal Tensile Strength of W： A First-Principles Calculation[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
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