Theoretical Hardness of Wurtzite-Structured Semiconductors

2008Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniPhysics and Astronomy被引 1

摘要

十一个组织 wurtzite 的半导体的 Vickers 坚硬计算基于显微镜的坚硬模型被执行。所有参数从第一原则的计算被获得。有在组织 wurtzite 的晶体的化学契约的二种类型。在 lonsdaleite 的化学契约的二种类型的重叠人口为 wurtzite 结构被选择为 P-c。组织 wurtzite 的半导体的计算契约 ionicity 价值在对从绝缘的定义的 ionicities 的好同意。当组织 wurtzite 的水晶的坚硬比 20 CPa 高时，我们的计算 Vickers 坚硬在 10% 精确性以内。因此，新奇组织 wurtzite 的水晶的坚硬能从第一原则的计算被估计。

引用本文（GB/T 7714）

郭晓菊, Bo Xu, 柳忠元, 等. Theoretical Hardness of Wurtzite-Structured Semiconductors[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2008.

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