Properties of Seamless W Sub-Micro Electrode Used for Phase Change Memory
摘要
以便改进可靠性填满设备，在直径 260 nm 加热电极的无缝的亚 micro W 与标准 0.18 亩 m 互补金属氧化物半导体处理被制作线。然后，我们成功地用加热电极的这无缝的亚 micro W 生产一台 chalcogenide 随机存取存储器设备。结果显示出好电的性能， e。g。直到 10 的 1.3mA 和设置 / 重设周期(9 ) 的重设电流被完成了。
引用本文（GB/T 7714）
冯高明, 宋志棠, Lei Zhu, 等. Properties of Seamless W Sub-Micro Electrode Used for Phase Change Memory[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2008.
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