Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy
摘要
阶段变化存储器(脉冲编码调制) 房间数组被标准互补 metal-oxide-semiconductor 进程和随后的特殊制造技术制作。在 50 nm 由 rf 磁控管劈啪作响扔了的厚度的 Achalcogenide Ge2Sb2Te5 电影被用作 PCM 房间的存储媒介。大突然将球踢回效果在 current-voltagecharacteristics 被观察，显示到水晶的状态(更低的抵抗状态) 的来自一个非结晶的状态(更高的抵抗状态) 的阶段转变。非结晶的状态的抵抗比从抵抗测量的水晶的状态的大二个数量级，并且阀值水流为我们的 fabritical 脉冲编码调制房间数组和这脉冲编码调制房间举办的结果表演的阶段转变需要有直到 2 x 10 的全部的剂量( 6 )的优秀全部的剂量放射忍耐 rad ( Si )它为基于空间的应用使它吸引人。
引用本文（GB/T 7714）
吴良才, Lei Zhu, 宋志棠, 等. Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.
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