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Resistive switching characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM device
雷晓艺、刘红侠、高海霞、杨哈妮、王国明、龙世兵、马晓华、Ming Liu
2014中国物理B：英文版Engineering被引 1
摘要
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引用本文（GB/T 7714）
雷晓艺, 刘红侠, 高海霞, 等. Resistive switching characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM device[J]. 中国物理B：英文版, 2014.
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