New analytical threshold voltage model for halo-doped cylindrical surrounding-gate MOSFETs

2011半导体学报：英文版Engineering被引 2

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李聪, 庄奕琪, 韩茹. New analytical threshold voltage model for halo-doped cylindrical surrounding-gate MOSFETs[J]. 半导体学报：英文版, 2011.

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