Room-Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InP Using Cl2/N2 and Cl2/CH4/H2
摘要
我们优化诱导地用 Cl-2/CH4/H-2 andCl-2/N-2 InP 蚀刻的房间温度联合血浆反应离子。实验的一个图案在优化被使用。结果，以蚀刻率，表面粗糙和蚀刻的侧面，被介绍。这些 Cl-2-based 配方不要求底层加热，因此，更多能有效地被花费并且广泛地适用。Cl-2/CH4/H-2 过程能给一更高与常规 CH4/H-2process 相比与更少的聚合物形成蚀刻率(about850 nm/min ) 和更干净的表面。Cl-2/N-2 过程甚至更高生产蚀刻率(象 2 亩 m/min 一样高) ，但是有忽视的更不平的表面方面墙妨碍。Cl-2/N-2 过程也没由于甲烷气体的缺席有聚合物形成。两个都，这些过程把很好的选择给硅二氧化物(SiO2 ) 蚀刻面具。到氧化物面具的 InP 的选择(直到 55:1 ) 为 Cl-2/N-2，过程是之一到目前为止最高报导了。蚀刻的结构拥有比得上在提高的温度状况下面获得了那的相当好的方面墙垂直性和表面质量(> 200 度 C ) 。
引用本文（GB/T 7714）
李志伟, 陈美凯. Room-Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InP Using Cl2/N2 and Cl2/CH4/H2[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.
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