Non-Uniformity of Ion Implantation in Direct-Current Plasma Immersion Ion Implantation
摘要
particle-in-cell 模拟被开发学习 dc 血浆沉浸离子培植。特别注意对在目标表面上在离子路径，和离子流动分发上用于目标的电压的影响被给予。在血浆区域以内的孔附近的潜力不是血浆潜力，这被发现，并且被用于植入的目标的电压影响。一个弄弯的等位的轮廓通过孔膨胀进血浆区域，扩大的程度取决于电压。电场在鞘加速的离子在目标表面上形成横梁形状和流动分布，它强烈依赖于应用电压。模拟的结果表明格子阴影效果的形成机制，它与试验性地观察的结果一致。[从作者抽象]
引用本文（GB/T 7714）
刘成森, 王德真, 范宇佳, 等. Non-Uniformity of Ion Implantation in Direct-Current Plasma Immersion Ion Implantation[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
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