Giant Temperature Coefficient of Resistance in ZnO/Si （111） Thin Films
摘要
抵抗(TCR ) 的巨大的否定温度系数在 ZnO/Si (111 ) 被观察薄电影。这些电影用搏动的激光免职(PLD ) 被种技术，拿的 Si (111 ) 晶片作为底层，与在在在 PLD 的 450degC 下面的温度的底层。它被发现那 TCP 温度行为和 TCP，价值被免职温度强烈影响。最大的 TCP，价值在上[?] 10.9%K [?] 1 能从 20degC 在免职温度被观察到 350degC 和活动范围到[?] 13%K [?] 1 在这部电影显示出 X 光检查衍射的免职温度 20degC 非结晶。当在一个便宜、高效、非凉下来、高度敏感的幅射热测定器使用了时，结果建议 ZnO/Si 电影表明大潜力。[从作者抽象]
引用本文（GB/T 7714）
周小芳, 张辉, Yong Li, 等. Giant Temperature Coefficient of Resistance in ZnO/Si （111） Thin Films[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。