非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计

2015Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 1

摘要

针对金属-半导体-金属（MSM）光电探测器暗电流抑制的机理,本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法,利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响,并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明,采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流,提高器件性能。

引用本文（GB/T 7714）

张诗雨, 洪霞, 方旭, 等. 非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2015.

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DOI：https://doi.org/10.3969/j.issn.1003-501x.2015.01.014

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