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GaN(0001)表面的电子结构研究

Xie Chang-Kun、Faqiang Xu、Deng Rui、Pengshou Xu、Fengqin Liu、K Yibulaxin、(1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学院高能物理研究所,北京100039

2002Acta Physica SinicaPhysics and Astronomy被引 10开放获取

摘要

摘要 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散 关键词: GaN / 角分辨光电发射 / 全势线性缀加平面波 / 电子结构 Abstract Keywords: / / / 作者及机构信息 谢长坤2, 徐法强1, 邓锐2, 徐彭寿2, 刘凤琴3, K.Yibulaxin3 (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学院高能物理研究所,北京100039 基金项目: 中国科学技术大学高水平大学建设科研基地资助的课题 Authors and contacts Xie Chang-Kun2, Xu Fa-Qiang1, Deng Rui2, Xu Peng-Shou2, Liu Feng-Qin3, K.Yibulaxin3 (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学院高能物理研究所,北京100039 参考文献 施引文献

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.2606