Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长
摘要
摘要 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点. 关键词: 锗 / 硅 / 扫描隧道显微镜 / 自组织生长 Abstract Keywords: / / / 作者及机构信息 张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧 1. 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~ Authors and contacts Zhang Yong-Peng, Yan Long, Xie Si-Shen, Pang Shi-Jin, Gao Hong-Jun 1. 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
Zhang Yong-Peng, Yan Long, Xie Sishen, 等. Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长[J]. Acta Physica Sinica, 2002.
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