低压Ar气氛下用PS／OCS／Si（111）叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理
摘要
在一定压力的Ar气氛中对Si（111）衬底上的PS／OCS（硅的有机化合物）凝胶叠层进行热处理，制备出单晶4H-Sic薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C／Si比为1．09。SEM分析表明薄膜的表面平整，SiC／Si（111）界面清晰、无层错缺陷形成。进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理。
引用本文（GB/T 7714）
王玉霞, 李赟, 陈征, 等. 低压Ar气氛下用PS／OCS／Si（111）叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.
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