SnO2—Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究
摘要
以SnCl4和O2为源物质，采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜，在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性，即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
引用本文（GB/T 7714）
Li Li, 童茂松, 翁爱华. SnO2—Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.
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