LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

2004稀有金属Physics and Astronomy被引 0

摘要

用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.

引用本文（GB/T 7714）

徐岳生, 付生辉, 刘彩池, 等. LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响[J]. 稀有金属, 2004.

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