以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
摘要
本文以升华法实现了以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在（0001）面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面。通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现（101n）面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区。
引用本文（GB/T 7714）
高玉强, 彭燕, 李娟, 等. 以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。