SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin探测器的研制
摘要
给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程.对制得的样管进行了典型光电参数的测试.测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3 μm,峰值响应波长在0.93～0.97 μm,峰值波长下响应度达0.38 μA/μW,与Si光电探测器相比,出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移,光电性能达到了预先的设计目标.
引用本文（GB/T 7714）
莫太山, 张世林, 郭维廉, 等. SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin探测器的研制[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2003.
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