Cd1-xZnxS（x=0.88）多晶薄膜的制备及性能研究
摘要
采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS（x=0.88）多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0〈x≤0.9,Cd1-xZnxS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Ve-gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd1-xZnxS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd1-xZnxS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd1-xZnxS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd1-xZnxS薄膜的电导激活能。
引用本文（GB/T 7714）
孙震, 谢晗科, 狄霞, 等. Cd1-xZnxS（x=0.88）多晶薄膜的制备及性能研究[J]. 功能材料, 2010.
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