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三硼酸锂晶体上1064 nm, 532 nm, 355 nm三倍频增透膜的设计

谭天亚、黄建兵、占美琼、Shao Jian- Da、范正修、吴炜、郭永新

2007Engineering被引 0

摘要

采用矢量法设计了三硼酸锂晶体上1064 nm、532 nm和355 nm三倍频增透膜,结果表明1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别为0.0017％、0.0002％和0.0013％。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在＋5.5％时,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.20％、0.84％和1.89％。当材料折射率的变化控制在＋3％时,1064 nm处的剩余反射率增大为0.20％,532 nm和355 nm处分别达0.88％和0.24％。与薄膜

引用本文（GB/T 7714）