SiO2掺杂SnO2—ZnO—Nb2O5压敏陶瓷的电学特性

2000Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0

摘要

研究了ＳｉＯ２掺杂对ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的影响。实验结果表明，ＳｉＯ２可以十分显著地影响ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为０．０５％￣０．４０％（摩尔分数）时，材料密度在６．２１￣６．５６ｇ／ｃｍ＾３之间变动，非线性系数在７．４２￣１２．８０之间。烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明：掺有ｘ（ＳｉＯ２）＝０．２％的ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶

引用本文（GB/T 7714）

田青, 王勇军. SiO2掺杂SnO2—ZnO—Nb2O5压敏陶瓷的电学特性[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2000.

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