具有單空間模態,低發散角,高功率的鋅擴散二維850nm面射型雷射陣列
摘要
我們證明了在850奈米波段的垂直共振腔面射型(VCSEL)雷射陣列上有高功率輸出、單模態的遠場、窄發散角的特性。我們透過是當的鋅擴散製程來調製鋅擴散孔徑跟氧化電流侷限孔徑的尺寸，使展現出每顆VCSEL都是高單模(highly single-mode)，窄遠場發散角（~6°）即有最大的輸出功率(~6.5mW)。而6x6跟10x10展現了單葉(single-lobe)遠場、窄發散角(~8°)，輸出功率分別達到104mW跟145mW。此外，透過量測陣列中不同位置的輸出光頻譜(optical spectra)，得知幾乎都是單模態的呈現，顯示出我們VCSEL陣列有良好的均勻性。此結果甚至優於其他大面積的同調激發(coherent lasing)光子晶體(photonic crystal)雷射。
引用本文（GB/T 7714）
張晉豪, Chin‐Hao Chang. 具有單空間模態,低發散角,高功率的鋅擴散二維850nm面射型雷射陣列[J]. 未知来源, 2013.
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