具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

徐秋霞、QiAn He、段晓峰、刘海华、王大海、韩郑生、Ming Liu、陈宝钦

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0

摘要

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.

引用本文（GB/T 7714）

徐秋霞, QiAn He, 段晓峰, 等. 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2006.

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