3.75GHz0.35μmCMOS1:4静态分频器集成电路设计
摘要
给出了一个利用0.35 μm CMOS工艺实现的1:4静态分频器设计方法.该分频器采用源极耦合场效应管逻辑电路,基本结构与T触发器相同.测试结果表明,当电源电压为3.3 V、输入信号峰峰值为O.5 V时,芯片可以工作在3.75 GHz,功耗为78 mW.
引用本文(GB/T 7714)
包志华, 景为平. 3.75GHz0.35μmCMOS1:4静态分频器集成电路设计[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2001.
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