HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延
摘要
研究了硼烷（H2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至10619mc^-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge 组分（x=0.20)均匀而稳定，PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7xccm时达到了峰值（约6×10^18cm^-3）。分别按PH3流量增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3 掺杂Si外延的特殊性质。
引用本文（GB/T 7714）
刘志农, 贾宏勇. HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2001.
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