B／N／Si掺杂的（9，0）型碳纳米管电子结构第一性原理研究
摘要
基于密度泛函理论（DFT）的DMol^3软件包，研究了（9，0）型碳纳米管（CNT）顶端掺杂B／N／Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明，掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱；加电场后，各种掺杂CNT顶端局域态密度（LDOS）峰位向价带移动；B／N／Si掺杂不仅引起CNT费米能级（E1）处LDOS增大，而且最低空轨道与最高占有轨道的差值（LUMO-HOMO）降低。由此可预期CNT顶端掺B／N／Si均有利于场致电子发射，且改善幅度依次增强。
引用本文（GB/T 7714）
安博, 王六定, 陈国栋, 等. B／N／Si掺杂的（9，0）型碳纳米管电子结构第一性原理研究[J]. 功能材料, 2009.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。