空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

1996Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniEngineering被引 0

摘要

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ－Ｓｉ；Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到纲米能级上０．１６ｅＶ间的隙态密度分布为１０＾１５－１０＾１６（ｃｍ＾－３ｅＶ＾－１）。

楚振生, 朱永福. 空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 1996.

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