0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应
摘要
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。
引用本文（GB/T 7714）
洪根深, 顾爱军. 0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2012.
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