扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
摘要
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜，即ＳＯＩ技术，是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术，本文讨论了利用扫描电子束对淀积在ＳｉＯ２上的多晶硅薄硅进行改性的实验，采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜，本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响，实验取得了较好的结果，获得了２００×２５μｍ＾２的单晶区。
引用本文（GB/T 7714）
林世昌, 张燕生, 张国炳, 等. 扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究[J]. 未知来源, 1995.
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