4H-SiC MESFET器件工艺
摘要
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.
引用本文（GB/T 7714）
Chen Gang‐, 柏松, Zhang Jiang Tao, 等. 4H-SiC MESFET器件工艺[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2007.
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