低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管
摘要
采用窄禁带宽度材料CaAsSb作为异质结晶体管的基区材料，成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管（double heterojunction bipolar transistor，DHBT）。器件性能如下：BE结的正向开启电压（turn-on voltage）仅为0.73V；当IB=1μm A/step时，直流增益达到了100，BVCEO=5-6V。通过对基区不同Sb含量器件的比较得当，器件的直流特性与基区Sb的含量有关。
引用本文（GB/T 7714）
郑丽萍, 严北平. 低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2003.
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