Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
摘要
以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。
引用本文（GB/T 7714）
Wang Shi Hua, 黄竹, 许积文, 等. Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
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