非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析
摘要
针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI晶体管,并采用新的SPICE模型参数来模拟这些器件。模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高精度,适合抗辐照电路设计应用。
引用本文（GB/T 7714）
贺威, 张正选. 非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析[J]. 微电子学, 2010.
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