a—SiOx：H／a—SiOy：H多层薄膜微结构的退火行为
摘要
采用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ型硅衬底上制备了ａ－ＳｉＯｘ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜，利用ＡＥＳ和ＴＥＭ技术研究了这种薄膜微结构的退火行为，结果表明：ａ－ＳｉＯｘＬ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜经退火处理形成ｎｃ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多层量子点复合膜，膜层具有清晰完整的结构界面，纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构，颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大，在一定的实验条件下，样品在６５０℃下退火可形成尺寸大
引用本文（GB/T 7714）
郭震宁, 黄永箴, 郭亨群, 等. a—SiOx：H／a—SiOy：H多层薄膜微结构的退火行为[J]. 未知来源, 2000.
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